A Samsung anunciou hoje durante a CES 2011, o desenvolvimento do primeiro módulo de memória DRAM DDR4 (para PCs) do mundo.
Construído com chips de 30nm, as DDR4 são capazes de transferir dados a uma taxa de 2,133 Gbps (velocidade de 2133 Mhz) a 1,2V. Trata-se de uma significativa evolução frente às DDR3, que necessitam de 1,35V a 1,5V para alcançar 1,6Gbps (1600 Mhz) na mesma litografia.
A julgar pela eficiência, as DRAM DDR4 deverão chegar primeiro nos laptops/notebooks, uma vez que a redução de consumo chega a até 40% se comparada aos módulos DDR3 de 1,5V.
A nova geração de memória utiliza-se de uma nova tecnologia, chamada Pseudo Open Drain (POD), baseada em uma versão para VRAM (DDR4 para VGAs), fazendo com que os módulos necessitem de apenas metade da corrente elétrica em relação às DDR3, quando está lendo ou gravando dados.
Ao utilizar uma nova arquitetura de circuito, as DRAM DDR4 da Samsung serão capazes de saltar de 1,6Gbps para 3.2Gbps, valor bem acima dos atuais 1,6Gbbps das típicas DDR3 e 0,8Gbps das DDR2.
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